onsemi FDMS Type N-Channel MOSFET, 116 A, 80 V Enhancement, 8-Pin PQFN FDMS4D5N08LC

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 10 eenheden)*

€ 13,48

(excl. BTW)

€ 16,31

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 04 juni 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
10 - 90€ 1,348€ 13,48
100 - 240€ 1,162€ 11,62
250 +€ 1,033€ 10,33

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
195-2499
Fabrikantnummer:
FDMS4D5N08LC
Fabrikant:
onsemi
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

onsemi

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

116A

Maximum Drain Source Voltage Vds

80V

Package Type

PQFN

Series

FDMS

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

7.5mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

113.6W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.2V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

51nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Width

5 mm

Length

5.85mm

Height

1.05mm

Automotive Standard

No

This N-Channel MV MOSFET is produced using ON Semiconductor’s advanced PowerTrench® process that incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized to minimise on-state resistance and yet maintain superior switching performance with soft body diode.

Shielded Gate MOSFET Technology

Max rDS(on) = 4.2 mΩ at VGS = 10 V, ID = 37 A

Max rDS(on) = 6.1 mΩ at VGS = 4.5 V, ID = 29 A

50% Lower Qrr than Other MOSFET Suppliers

Lowers Switching Noise/EMI

Logic Level drive Capable

Application

This product is general usage and suitable for many different applications.

Gerelateerde Links