Vishay SQD10950E Type N-Channel MOSFET, 11.5 A, 250 V Enhancement, 3-Pin TO-252 SQD10950E_GE3

Bekijk alle MOSFETs

Subtotaal (1 rol van 2000 eenheden)*

€ 1.098,00

(excl. BTW)

€ 1.328,00

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 22 juni 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
2000 +€ 0,549€ 1.098,00

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
200-6792
Fabrikantnummer:
SQD10950E_GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

11.5A

Maximum Drain Source Voltage Vds

250V

Series

SQD10950E

Package Type

TO-252

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

180mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

16nC

Forward Voltage Vf

1.5V

Maximum Power Dissipation Pd

62W

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

2.38 mm

Height

10.41mm

Standards/Approvals

No

Length

6.73mm

Automotive Standard

AEC-Q101

The Vishay SQD10950E_GE3 is a automotive N-channel 250V (D-S) 175°C MOSFET.

TrenchFET power MOSFET

Package with low thermal resistance

100 % Rg and UIS tested

AEC-Q101 qualified

Gerelateerde Links