Vishay EF Type N-Channel MOSFET, 29 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220 SiHP105N60EF-GE3

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 rol van 50 eenheden)*

€ 150,15

(excl. BTW)

€ 181,70

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 50 stuk(s) vanaf 29 december 2025
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
50 - 50€ 3,003€ 150,15
100 - 200€ 2,823€ 141,15
250 +€ 2,553€ 127,65

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
200-6794
Fabrikantnummer:
SiHP105N60EF-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

29A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Package Type

TO-220

Series

EF

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

88mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

53nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

208W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

14.4mm

Standards/Approvals

No

Width

4.65 mm

Length

10.52mm

Automotive Standard

No

The Vishay SiHP105N60EF-GE3 is a EF series power MOSFET with fast body diode.

4th generation E series technology

Low figure-of-merit

Low effective capacitance

Reduced switching and conduction losses

Avalanche energy rated (UIS)

Gerelateerde Links