Vishay EF Type N-Channel MOSFET, 8.4 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220 SiHA186N60EF-GE3

Bekijk alle MOSFETs

Subtotaal (1 verpakking van 5 eenheden)*

€ 7,10

(excl. BTW)

€ 8,60

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 960 stuk(s) vanaf 29 december 2025
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
5 +€ 1,42€ 7,10

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
210-4963
Fabrikantnummer:
SiHA186N60EF-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

8.4A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Package Type

TO-220

Series

EF

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

168mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

33W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

21nC

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Length

28.1mm

Height

4.3mm

Width

9.7 mm

Automotive Standard

No

The Vishay EF Series Power MOSFET With Fast Body Diode has Thin-Lead TO-220 FULLPAK package type.

4th generation E series technology

Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg

Low effective capacitance (Co(er))

Reduced switching and conduction losses

Avalanche energy rated (UIS)

Gerelateerde Links