Vishay EF Type N-Channel MOSFET, 18 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220 SIHP186N60EF-GE3

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 rol van 50 eenheden)*

€ 113,70

(excl. BTW)

€ 137,60

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 11 mei 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
50 - 50€ 2,274€ 113,70
100 - 200€ 2,138€ 106,90
250 +€ 1,941€ 97,05

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
200-6818
Fabrikantnummer:
SIHP186N60EF-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

18A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Series

EF

Package Type

TO-220

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

193mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.2V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

32nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Maximum Power Dissipation Pd

156W

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Length

10.52mm

Height

14.4mm

Width

4.65 mm

Automotive Standard

No

The Vishay SIHP186N60EF-GE3 is a EF series power MOSFET with fast body diode.

4th generation E series technology

Low figure-of-merit

Low effective capacitance

Reduced switching and conduction losses

Avalanche energy rated (UIS)

Gerelateerde Links