Vishay EF Type N-Channel MOSFET, 23 A, 650 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK 8 x 8

Subtotaal (1 verpakking van 5 eenheden)*

€ 30,84

(excl. BTW)

€ 37,315

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Informatie over voorraden is momenteel niet toegankelijk
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
5 +€ 6,168€ 30,84

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
200-6810
Fabrikantnummer:
SIHH125N60EF-T1GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

23A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Package Type

PowerPAK 8 x 8

Series

EF

Mount Type

Surface

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

125mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

156W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Forward Voltage Vf

1.2V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

47nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

1.05 mm

Height

8.1mm

Length

8.1mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Vishay SIHH125N60EF-T1GE3 is a EF series power MOSFET with fast body diode.

4th generation E series technology

Low figure-of-merit

Low effective capacitance

Reduced switching and conduction losses

Avalanche energy rated (UIS)

Gerelateerde Links