Vishay EF Type N-Channel MOSFET, 16 A, 650 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK 8 x 8 SIHH186N60EF-T1GE3

Subtotaal (1 rol van 3000 eenheden)*

€ 7.056,00

(excl. BTW)

€ 8.538,00

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Informatie over voorraden is momenteel niet toegankelijk - Controleer het later nog eens opnieuw
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
3000 +€ 2,352€ 7.056,00

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
200-6811
Fabrikantnummer:
SIHH186N60EF-T1GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

16A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Series

EF

Package Type

PowerPAK 8 x 8

Mount Type

Surface

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

193mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

32nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

114W

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

8.1mm

Standards/Approvals

No

Height

8.1mm

Automotive Standard

No

The Vishay SIHH186N60EF-T1GE3 is a EF series power MOSFET with fast body diode.

4th generation E series technology

Low figure-of-merit

Low effective capacitance

Reduced switching and conduction losses

Avalanche energy rated (UIS)

Gerelateerde Links