Vishay E Type N-Channel MOSFET, 6.4 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-252 SIHD690N60E-GE3

Bekijk alle MOSFETs

Subtotaal (1 rol van 3000 eenheden)*

€ 1.917,00

(excl. BTW)

€ 2.319,00

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 11 mei 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
3000 +€ 0,639€ 1.917,00

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
200-6828
Fabrikantnummer:
SIHD690N60E-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

6.4A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Package Type

TO-252

Series

E

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

700mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

12nC

Maximum Power Dissipation Pd

62.5W

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±30 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Vishay SIHD690N60E-GE3 is a E Series power MOSFET.

4th generation E series technology

Low figure-of-merit

Low effective capacitance

Reduced switching and conduction losses

Avalanche energy rated (UIS)

Gerelateerde Links