Vishay E Type N-Channel MOSFET, 4.4 A, 850 V Enhancement, 3-Pin TO-252 SiHD5N80AE-GE3

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 10 eenheden)*

€ 9,62

(excl. BTW)

€ 11,64

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 2.140 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
10 - 90€ 0,962€ 9,62
100 - 240€ 0,932€ 9,32
250 - 490€ 0,886€ 8,86
500 - 990€ 0,846€ 8,46
1000 +€ 0,798€ 7,98

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
228-2852
Fabrikantnummer:
SiHD5N80AE-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

4.4A

Maximum Drain Source Voltage Vds

850V

Series

E

Package Type

TO-252

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.35Ω

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

11nC

Maximum Power Dissipation Pd

62.5W

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Vishay E Series Power MOSFET reduced switching and conduction losses.

Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg

Low effective capacitance (Co(er))

Gerelateerde Links