Vishay TrenchFET Gen IV Type N-Channel MOSFET, 100 A, 40 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SIDR638DP-T1-RE3

Bekijk alle MOSFETs

Subtotaal (1 rol van 3000 eenheden)*

€ 5.298,00

(excl. BTW)

€ 6.411,00

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 07 september 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
3000 +€ 1,766€ 5.298,00

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
200-6839
Fabrikantnummer:
SIDR638DP-T1-RE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

100A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Series

TrenchFET Gen IV

Package Type

SO-8

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.16mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

204nC

Forward Voltage Vf

1.1V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

125W

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

No

Height

0.61mm

Length

6.15mm

Width

5.15 mm

Automotive Standard

No

The Vishay SIDR638DP-T1-RE3 is a N-channel 40V (D-S) MOSFET.

TrenchFET Gen IV power MOSFET

Very low RDS - Qg figure-of-merit (FOM)

Tuned for the lowest RDS - Qoss FOM

Top side cooling feature provides additional venue for thermal transfer

100 % Rg and UIS tested

Gerelateerde Links