Fabrikantnummer

Vishay TrenchFET Gen IV Type N-Channel MOSFET, 65.8 A, 100 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SiR106ADP-T1-RE3

RS-stocknr.:: 200-6865
Fabrikantnummer:: SiR106ADP-T1-RE3
Fabrikant:: Vishay

Vishay TrenchFET Gen IV Type N-Channel MOSFET, 65.8 A, 100 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SiR106ADP-T1-RE3

Bulkkorting beschikbaar

Bekijk bulkkorting

Subtotaal (1 verpakking van 25 eenheden)*

€ 41,45

(excl. BTW)

€ 50,15

(incl. BTW)

GRATIS bezorging voor bestellingen van meer dan € 90,00

Tijdelijk niet op voorraad

Verzending vanaf 11 augustus 2027

Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.

Aantal stuks	Per stuk	Per verpakking*
25 - 25	€ 1,658	€ 41,45
50 - 100	€ 1,411	€ 35,28
125 - 225	€ 1,244	€ 31,10
250 - 600	€ 1,079	€ 26,98
625 +	€ 0,994	€ 24,85

*prijsindicatie

RS-stocknr.:: 200-6865
Fabrikantnummer:: SiR106ADP-T1-RE3
Fabrikant:: Vishay

Specificaties

Datasheets

Wetgeving en compliance

Productomschrijving

Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.

Alles selecteren	Attribuut	Waarde
	Merk	Vishay
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	65.8A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	100V
	Package Type	SO-8
	Series	TrenchFET Gen IV
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	9mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	83.3W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	52nC
	Forward Voltage Vf	1.1V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	No
	Height	6.15mm
	Length	5.15mm
	Automotive Standard	No

	Alles selecteren
	Merk Vishay
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 65.8A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 100V
	Package Type SO-8
	Series TrenchFET Gen IV
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 9mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 83.3W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 52nC
	Forward Voltage Vf 1.1V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals No
	Height 6.15mm
	Length 5.15mm
	Automotive Standard No

Document- SiR106ADP-T1-RE3

The Vishay SiR106ADP-T1-RE3 is a N-channel 100V (D-S) MOSFET.

TrenchFET Gen IV power MOSFET

Very low RDS x Qg figure-of-merit (FOM)

Tuned for the lowest RDS x Qoss FOM

100 % Rg and UIS tested

Gerelateerde Links

Wees als eerste op de hoogte van onze nieuwste producten en aanbiedingen

E-mailadres

De persoonlijke gegevens die u aan ons verstrekt bij het aanmelden voor deze mailinglijst worden verwerkt in overeenstemming met ons privacybeleid.