Vishay TrenchFET Gen IV Type N-Channel MOSFET, 65.8 A, 100 V Enhancement, 8-Pin SO-8

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 25 eenheden)*

€ 35,225

(excl. BTW)

€ 42,625

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 06 juli 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
25 - 25€ 1,409€ 35,23
50 - 100€ 1,198€ 29,95
125 - 225€ 1,057€ 26,43
250 - 600€ 0,917€ 22,93
625 +€ 0,845€ 21,13

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
200-6865
Fabrikantnummer:
SiR106ADP-T1-RE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

65.8A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Package Type

SO-8

Series

TrenchFET Gen IV

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

9mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

52nC

Forward Voltage Vf

1.1V

Maximum Power Dissipation Pd

83.3W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

6.15mm

Standards/Approvals

No

Width

5.15 mm

Length

5.15mm

Automotive Standard

No

The Vishay SiR106ADP-T1-RE3 is a N-channel 100V (D-S) MOSFET.

TrenchFET Gen IV power MOSFET

Very low RDS x Qg figure-of-merit (FOM)

Tuned for the lowest RDS x Qoss FOM

100 % Rg and UIS tested

Gerelateerde Links