Vishay TrenchFET Gen IV Type N-Channel MOSFET, 110 A, 45 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SIR150DP-T1-RE3

Bekijk alle MOSFETs

Subtotaal (1 rol van 3000 eenheden)*

€ 1.038,00

(excl. BTW)

€ 1.257,00

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 06 juli 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
3000 +€ 0,346€ 1.038,00

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
200-6844
Fabrikantnummer:
SIR150DP-T1-RE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

110A

Maximum Drain Source Voltage Vds

45V

Package Type

SO-8

Series

TrenchFET Gen IV

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

3.97mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

70nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

65.7W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Forward Voltage Vf

1.1V

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

6.15mm

Standards/Approvals

No

Width

5.15 mm

Length

5.15mm

Automotive Standard

No

The Vishay SIR150DP-T1-RE3 is a N-channel 45V (D-S) MOSFET.

TrenchFET Gen IV power MOSFET

45 V Drain-source break-down voltage

Tuned for low Qg and Qoss

100 % Rg and UIS tested

Gerelateerde Links