Vishay TrenchFET Gen IV Type N-Channel MOSFET, 81 A, 100 V Enhancement, 8-Pin SO-8

Bekijk alle MOSFETs

Subtotaal (1 verpakking van 25 eenheden)*

€ 35,05

(excl. BTW)

€ 42,40

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 25 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
25 +€ 1,402€ 35,05

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
200-6862
Fabrikantnummer:
SiR104ADP-T1-RE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

81A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Series

TrenchFET Gen IV

Package Type

SO-8

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

7.2mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.1V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

70nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

100W

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

6.15mm

Length

5.15mm

Width

5.15 mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Vishay SiR104ADP-T1-RE3 is a N-channel 100V (D-S) MOSFET.

TrenchFET Gen IV power MOSFET

Very low RDS x Qg figure-of-merit (FOM)

Tuned for the lowest RDS x Qoss FOM

100 % Rg and UIS tested

Gerelateerde Links