Vishay TrenchFET Gen III Type P-Channel MOSFET, 127.5 A, 20 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 50 eenheden)*

€ 44,55

(excl. BTW)

€ 53,90

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 27 november 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.

Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
50 - 50€ 0,891€ 44,55
100 - 200€ 0,712€ 35,60
250 - 450€ 0,624€ 31,20
500 - 1200€ 0,516€ 25,80
1250 +€ 0,481€ 24,05

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
200-6849
Fabrikantnummer:
SiSS63DN-T1-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type P

Maximum Continuous Drain Current Id

127.5A

Maximum Drain Source Voltage Vds

20V

Series

TrenchFET Gen III

Package Type

PowerPAK 1212

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

7mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

-1.2V

Maximum Power Dissipation Pd

65.8W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

236nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Height

3.3mm

Length

3.3mm

Automotive Standard

No

The Vishay SiSS63DN-T1-GE3 is a P-channel 20V (D-S) MOSFET.

TrenchFET Gen III p-channel power MOSFET

Leadership RDS(on) in compact and thermally enhanced package

100 % Rg and UIS tested

Gerelateerde Links