Vishay TrenchFET Gen III Type P-Channel MOSFET, 127.5 A, 20 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SiSS63DN-T1-GE3

Bekijk alle MOSFETs

Subtotaal (1 rol van 3000 eenheden)*

€ 1.188,00

(excl. BTW)

€ 1.437,00

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 17 augustus 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
3000 +€ 0,396€ 1.188,00

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
200-6848
Fabrikantnummer:
SiSS63DN-T1-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type P

Maximum Continuous Drain Current Id

127.5A

Maximum Drain Source Voltage Vds

20V

Package Type

PowerPAK 1212

Series

TrenchFET Gen III

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

7mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±12 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

236nC

Forward Voltage Vf

-1.2V

Maximum Power Dissipation Pd

65.8W

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

3.3mm

Width

3.3 mm

Height

3.3mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Vishay SiSS63DN-T1-GE3 is a P-channel 20V (D-S) MOSFET.

TrenchFET Gen III p-channel power MOSFET

Leadership RDS(on) in compact and thermally enhanced package

100 % Rg and UIS tested

Gerelateerde Links