STMicroelectronics SCTW35 Type N-Channel MOSFET, 45 A, 650 V Enhancement, 3-Pin Hip-247 SCTW35N65G2V

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 eenheid)*

€ 13,60

(excl. BTW)

€ 16,46

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 847 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
1 - 4€ 13,60
5 - 9€ 13,22
10 - 24€ 12,88
25 - 49€ 12,55
50 +€ 12,24

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
201-0860
Fabrikantnummer:
SCTW35N65G2V
Fabrikant:
STMicroelectronics
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

STMicroelectronics

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

45A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Series

SCTW35

Package Type

Hip-247

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

45mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

22 V

Maximum Power Dissipation Pd

240W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

73nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

200°C

Length

14.8mm

Standards/Approvals

No

Height

15.75mm

Width

5.15 mm

Automotive Standard

No

The STMicroelectronics 650V silicon carbide power MOSFET has a current rating of 45A and drain to source resistance 45m Ohm. It has low on-resistance per unit area and very good switching performance. The variation of switching loss is almost independent of junction temperature.

Very fast and robust intrinsic body diode

Low capacitance

Gerelateerde Links