onsemi NVB Type N-Channel MOSFET, 60 A, 1200 V Enhancement, 7-Pin TO-263 NVBG040N120SC1

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 2 eenheden)*

€ 36,62

(excl. BTW)

€ 44,32

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 652 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
2 - 18€ 18,31€ 36,62
20 - 198€ 15,785€ 31,57
200 +€ 13,68€ 27,36

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
202-5731
Fabrikantnummer:
NVBG040N120SC1
Fabrikant:
onsemi
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

onsemi

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

60A

Maximum Drain Source Voltage Vds

1200V

Package Type

TO-263

Series

NVB

Mount Type

Surface

Pin Count

7

Maximum Drain Source Resistance Rds

56mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

106nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

178W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

25 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

4.7 mm

Length

10.2mm

Standards/Approvals

AEC-Q101

Height

15.7mm

Automotive Standard

No

Silicon Carbide (SiC) MOSFET, N‐Channel - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, D2PAK−7L Silicon Carbide MOSFET, N-Channel, 1200 V, 40 mΩ, D2PAK-7L


The ON Semiconductor Silicon Carbide Power MOSFET runs with 60 Ampere and 1200 Volts. It can be used in Automotive on board charger, DC or DC Converter applications.

AEC Q101 qualified

Production part approval process Capable

100% avalanche tested

Low effective output capacitance

Gerelateerde Links