Vishay SiDR220DP Type N-Channel MOSFET, 100 A, 25 V Enhancement, 8-Pin SO-8

Bekijk alle MOSFETs

Subtotaal (1 rol van 3000 eenheden)*

€ 5.643,00

(excl. BTW)

€ 6.828,00

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 13 juli 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
3000 +€ 1,881€ 5.643,00

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
204-7230
Fabrikantnummer:
SIDR220DP-T1-RE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

100A

Maximum Drain Source Voltage Vds

25V

Package Type

SO-8

Series

SiDR220DP

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.58mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

16 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

200nC

Maximum Power Dissipation Pd

125W

Forward Voltage Vf

1.1V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

6.25mm

Standards/Approvals

No

Width

5.15 mm

Automotive Standard

No

The Vishay N-Channel 25 V (D-S) MOSFET has optimized Qg, Qgd, and Qgd/Qgs ratio reduces switching related power loss.

100 % Rg and UIS tested

TrenchFET Gen IV power MOSFET

Gerelateerde Links