Vishay Type N-Channel MOSFET, 430 A, 20 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SIR178DP-T1-RE3

Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 5 eenheden)*

€ 10,92

(excl. BTW)

€ 13,215

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 28 september 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.

Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
5 - 45€ 2,184€ 10,92
50 - 120€ 1,966€ 9,83
125 - 245€ 1,572€ 7,86
250 - 495€ 1,288€ 6,44
500 +€ 1,16€ 5,80

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
210-4999
Fabrikantnummer:
SIR178DP-T1-RE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

430A

Maximum Drain Source Voltage Vds

20V

Package Type

SO-8

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.31mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

204nC

Maximum Power Dissipation Pd

104W

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

1.12mm

Standards/Approvals

No

Length

6.25mm

Automotive Standard

No

The Vishay N-Channel 20 V (D-S) MOSFET has PowerPAK SO-8 package type with 430 A drain current.

TrenchFET Gen IV power MOSFET

Very low RDS x Qg figure-of-merit (FOM)

Leadership RDS(ON) minimizes power loss from conduction

2.5 V ratings and operation at low voltage gate drive

100 % Rg and UIS tested

Gerelateerde Links