Vishay SiDR104ADP Type N-Channel MOSFET, 81 A, 100 V Enhancement, 8-Pin SO-8

Bekijk alle MOSFETs

Subtotaal (1 rol van 3000 eenheden)*

€ 3.444,00

(excl. BTW)

€ 4.167,00

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 27 juli 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
3000 +€ 1,148€ 3.444,00

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
204-7218
Fabrikantnummer:
SiDR104ADP-T1-RE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

81A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Package Type

SO-8

Series

SiDR104ADP

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

6.1mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.1V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

46.1nC

Maximum Power Dissipation Pd

100W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

6.25mm

Standards/Approvals

No

Width

5.15 mm

Automotive Standard

No

The Vishay N-Channel 100 V (D-S) MOSFET has a very low RDS x Qg figure-of-merit (FOM). It is tuned for the lowest RDS x Qoss FOM.

TrenchFET Gen IV power MOSFET

100 % Rg and UIS tested

Gerelateerde Links