Vishay SiDR220DP Type N-Channel MOSFET, 100 A, 25 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SIDR220DP-T1-RE3

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 10 eenheden)*

€ 35,63

(excl. BTW)

€ 43,11

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 14 juli 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
10 - 10€ 3,563€ 35,63
20 - 40€ 2,887€ 28,87
50 - 90€ 2,674€ 26,74
100 - 240€ 2,495€ 24,95
250 +€ 2,388€ 23,88

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
204-7232
Fabrikantnummer:
SIDR220DP-T1-RE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

100A

Maximum Drain Source Voltage Vds

25V

Series

SiDR220DP

Package Type

SO-8

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.58mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

125W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

200nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

16 V

Forward Voltage Vf

1.1V

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

5.15 mm

Length

6.25mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Vishay N-Channel 25 V (D-S) MOSFET has optimized Qg, Qgd, and Qgd/Qgs ratio reduces switching related power loss.

100 % Rg and UIS tested

TrenchFET Gen IV power MOSFET

Gerelateerde Links