Vishay SiDR140DP Type N-Channel MOSFET, 100 A, 25 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SIDR140DP-T1-RE3

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 10 eenheden)*

€ 34,69

(excl. BTW)

€ 41,97

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 14 juli 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
10 - 40€ 3,469€ 34,69
50 - 90€ 2,809€ 28,09
100 - 240€ 2,602€ 26,02
250 - 490€ 2,428€ 24,28
500 +€ 2,324€ 23,24

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
204-7236
Fabrikantnummer:
SIDR140DP-T1-RE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

100A

Maximum Drain Source Voltage Vds

25V

Series

SiDR140DP

Package Type

SO-8

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.67mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

125W

Forward Voltage Vf

-1.2V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

113nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

6.15mm

Height

0.61mm

Standards/Approvals

No

Width

5.15 mm

Automotive Standard

No

The Vishay N-Channel 25 V (D-S) MOSFET has a top side cooling feature provides additional venue for thermal transfer. It has optimized Qg, Qgd, and Qgd/Qgs ratio reduces switching related power loss.

100 % Rg and UIS tested

TrenchFET Gen IV power MOSFET

Gerelateerde Links