Vishay SiR626ADP Type N-Channel MOSFET, 165 A, 60 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SiR626ADP-T1-RE3

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 10 eenheden)*

€ 17,06

(excl. BTW)

€ 20,64

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 04 januari 2027
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
10 - 40€ 1,706€ 17,06
50 - 90€ 1,364€ 13,64
100 - 240€ 1,194€ 11,94
250 - 490€ 1,072€ 10,72
500 +€ 1,045€ 10,45

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
204-7200
Fabrikantnummer:
SiR626ADP-T1-RE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

165A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Package Type

SO-8

Series

SiR626ADP

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.75mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

83nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.1V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

104W

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

6.25mm

Standards/Approvals

No

Length

5.26mm

Width

1.12 mm

Automotive Standard

No

The Vishay N-Channel 60 V (D-S) MOSFET is tuned for the lowest RDS - Qoss FOM.

Package Power PAK SO-8

TrenchFET Gen IV power MOSFET

Gerelateerde Links