Vishay SiDR680ADP Type N-Channel MOSFET, 137 A, 80 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SIDR680ADP-T1-RE3

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 10 eenheden)*

€ 21,26

(excl. BTW)

€ 25,72

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 05 januari 2027
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
10 - 40€ 2,126€ 21,26
50 - 90€ 1,699€ 16,99
100 - 240€ 1,516€ 15,16
250 - 490€ 1,477€ 14,77
500 +€ 1,439€ 14,39

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
204-7258
Fabrikantnummer:
SIDR680ADP-T1-RE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

137A

Maximum Drain Source Voltage Vds

80V

Series

SiDR680ADP

Package Type

SO-8

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

2.88mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

125W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

55nC

Forward Voltage Vf

1.1V

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

5.9mm

Standards/Approvals

No

Height

0.51mm

Width

4.9 mm

Automotive Standard

No

The Vishay N-Channel 80 V (D-S) MOSFET has a very low RDS - Qg figure-of-merit (FOM) and is tuned for the lowest RDS - Qoss FOM.

100 % Rg and UIS tested

TrenchFET Gen IV power MOSFET

Gerelateerde Links