Vishay SiDR170DP Type N-Channel MOSFET, 95 A, 100 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SiDR170DP-T1-RE3

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 5 eenheden)*

€ 16,13

(excl. BTW)

€ 19,515

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Wordt opgeheven
  • Laatste 545 stuk(s), klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
5 - 45€ 3,226€ 16,13
50 - 120€ 2,94€ 14,70
125 - 245€ 2,294€ 11,47
250 - 495€ 1,934€ 9,67
500 +€ 1,714€ 8,57

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
210-4955
Fabrikantnummer:
SiDR170DP-T1-RE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

95A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Package Type

SO-8

Series

SiDR170DP

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

4mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

93nC

Maximum Power Dissipation Pd

125W

Forward Voltage Vf

1.1V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

5.9mm

Standards/Approvals

No

Height

0.51mm

Width

4.9 mm

Automotive Standard

No

The Vishay N-Channel 100 V (D-S) MOSFET has PowerPAK SO-8DC package type.

TrenchFET Gen IV power MOSFET

Very low RDS x Qg figure-of-merit (FOM)

Tuned for the lowest RDS x Qoss FOM

100 % Rg and UIS tested

Gerelateerde Links