Vishay SiR632DP Type N-Channel MOSFET, 29 A, 150 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SIR632DP-T1-RE3

Bekijk alle MOSFETs

Subtotaal (1 verpakking van 5 eenheden)*

€ 5,38

(excl. BTW)

€ 6,51

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending 285 stuk(s) vanaf 05 januari 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
5 +€ 1,076€ 5,38

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
134-9723
Fabrikantnummer:
SIR632DP-T1-RE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

29A

Maximum Drain Source Voltage Vds

150V

Series

SiR632DP

Package Type

SO-8

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

41mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

69.5W

Forward Voltage Vf

-1.2V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

14nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

1.12mm

Width

5.26 mm

Length

6.25mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

N-Channel MOSFET, TrenchFET up to Gen III, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


Gerelateerde Links