Vishay SiR692DP Type N-Channel MOSFET, 24.2 A, 250 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SIR692DP-T1-RE3

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 5 eenheden)*

€ 8,50

(excl. BTW)

€ 10,30

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 6.000 stuk(s) vanaf 05 januari 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
5 - 45€ 1,70€ 8,50
50 - 120€ 1,446€ 7,23
125 - 245€ 1,258€ 6,29
250 - 495€ 1,038€ 5,19
500 +€ 0,814€ 4,07

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
134-9731
Fabrikantnummer:
SIR692DP-T1-RE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

24.2A

Maximum Drain Source Voltage Vds

250V

Package Type

SO-8

Series

SiR692DP

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

67mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.1V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

25.3nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

104W

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

1.12mm

Standards/Approvals

No

Width

5.26 mm

Length

6.25mm

Automotive Standard

No

N-Channel MOSFET, TrenchFET up to Gen III, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


Gerelateerde Links