Vishay E Type N-Channel MOSFET, 13 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-220 SIHP15N80AE-GE3

Bekijk alle MOSFETs

Subtotaal (1 verpakking van 5 eenheden)*

€ 7,68

(excl. BTW)

€ 9,295

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 900 stuk(s) vanaf 29 december 2025
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
5 +€ 1,536€ 7,68

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
210-4992
Fabrikantnummer:
SIHP15N80AE-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

13A

Maximum Drain Source Voltage Vds

800V

Package Type

TO-220

Series

E

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

304mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

56nC

Maximum Power Dissipation Pd

136W

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

4.24mm

Standards/Approvals

No

Length

27.69mm

Width

9.96 mm

Automotive Standard

No

The Vishay E Series Power MOSFET has TO-220AB package type with 13 A drain current.

Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg

Low effective capacitance (Co(er))

Reduced switching and conduction losses

Avalanche energy rated (UIS)

Gerelateerde Links