Vishay E Type N-Channel MOSFET, 13 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-263 SIHB15N80AE-GE3

Bekijk alle MOSFETs

Subtotaal (1 verpakking van 5 eenheden)*

€ 12,05

(excl. BTW)

€ 14,60

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 2.990 stuk(s) vanaf 29 december 2025
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
5 +€ 2,41€ 12,05

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
210-4970
Fabrikantnummer:
SIHB15N80AE-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

13A

Maximum Drain Source Voltage Vds

800V

Series

E

Package Type

TO-263

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

304mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

35nC

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Maximum Power Dissipation Pd

158W

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

14.61mm

Standards/Approvals

No

Width

9.65 mm

Height

4.06mm

Automotive Standard

No

The Vishay E Series Power MOSFET has D2PAK (TO-263) package type with 13 A drain current.

Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg

Low effective capacitance (Co(er))

Reduced switching and conduction losses

Avalanche energy rated (UIS)

Gerelateerde Links