Vishay E Type N-Channel MOSFET, 7 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-220 SIHA17N80AE-GE3

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 5 eenheden)*

€ 7,73

(excl. BTW)

€ 9,355

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Laatste voorraad RS
  • Laatste 975 stuk(s), klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
5 - 45€ 1,546€ 7,73
50 - 120€ 1,392€ 6,96
125 - 245€ 1,114€ 5,57
250 - 495€ 0,926€ 4,63
500 +€ 0,804€ 4,02

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
210-4961
Fabrikantnummer:
SIHA17N80AE-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

7A

Maximum Drain Source Voltage Vds

800V

Series

E

Package Type

TO-220

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

250mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Maximum Power Dissipation Pd

34W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

62nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Width

9.7 mm

Height

4.3mm

Length

28.1mm

Automotive Standard

No

The Vishay E Series Power MOSFET has Thin-Lead TO-220 FULLPAK package type with 7 A drain current.

Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg

Low effective capacitance (Co(er))

Reduced switching and conduction losses

Avalanche energy rated (UIS)

Gerelateerde Links