Vishay SiR680LDP Type N-Channel MOSFET, 130 A, 80 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SIR680LDP-T1-RE3

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 5 eenheden)*

€ 12,92

(excl. BTW)

€ 15,635

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Laatste voorraad RS
  • Laatste 5.720 stuk(s), klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
5 - 45€ 2,584€ 12,92
50 - 120€ 2,326€ 11,63
125 - 245€ 1,86€ 9,30
250 - 495€ 1,524€ 7,62
500 +€ 1,294€ 6,47

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
210-5003
Fabrikantnummer:
SIR680LDP-T1-RE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

130A

Maximum Drain Source Voltage Vds

80V

Series

SiR680LDP

Package Type

SO-8

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

2.33mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Forward Voltage Vf

1.1V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

90nC

Maximum Power Dissipation Pd

104W

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

5.26 mm

Standards/Approvals

No

Height

1.12mm

Length

6.25mm

Automotive Standard

No

The Vishay N-Channel 80 V (D-S) MOSFET has PowerPAK SO-8 package type with 130 A drain current.

TrenchFET® Gen IV power MOSFET

Very low RDS - Qg figure-of-merit (FOM)

Tuned for the lowest RDS - Qoss FOM

100 % Rg and UIS tested

Gerelateerde Links