Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 70.6 A, 80 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SiR880BDP-T1-RE3

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 10 eenheden)*

€ 11,16

(excl. BTW)

€ 13,50

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • 5.560 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
10 - 90€ 1,116€ 11,16
100 - 240€ 1,05€ 10,50
250 - 490€ 0,949€ 9,49
500 - 990€ 0,893€ 8,93
1000 +€ 0,838€ 8,38

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
228-2914
Fabrikantnummer:
SiR880BDP-T1-RE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

70.6A

Maximum Drain Source Voltage Vds

80V

Series

TrenchFET

Package Type

SO-8

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

6.5mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

43.5nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

71.4W

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Vishay TrenchFET N-channel is 80 V MOSFET.

100 % Rg and UIS tested

Gerelateerde Links