Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 105 A, 150 V Enhancement, 7-Pin TO-263

Bekijk alle MOSFETs

Subtotaal (1 rol van 800 eenheden)*

€ 2.102,40

(excl. BTW)

€ 2.544,00

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 22 november 2027
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
800 +€ 2,628€ 2.102,40

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
214-8958
Fabrikantnummer:
AUIRFS4115-7TRL
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

105A

Maximum Drain Source Voltage Vds

150V

Series

HEXFET

Package Type

TO-263

Mount Type

Surface

Pin Count

7

Maximum Drain Source Resistance Rds

11.8mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

73nC

Maximum Power Dissipation Pd

380W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Forward Voltage Vf

1.3V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

No

Length

10.54mm

Width

9.65 mm

Height

4.83mm

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon HEXFET Power MOSFETs utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this design are 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating . These features combine to make this design an extremely efficient and reliable device for use in Automotive applications and a wide variety of other applications.

Advanced Process Technology

Ultra Low On-Resistance

Automotive Qualified

Gerelateerde Links