Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 523 A, 40 V Enhancement, 7-Pin TO-263

Bekijk alle MOSFETs

Subtotaal (1 rol van 800 eenheden)*

€ 1.958,40

(excl. BTW)

€ 2.369,60

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 1.600 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
800 +€ 2,448€ 1.958,40

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
214-8962
Fabrikantnummer:
AUIRFSA8409-7TRL
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

523A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Series

HEXFET

Package Type

TO-263

Mount Type

Surface

Pin Count

7

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.69mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

375W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

305nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Forward Voltage Vf

1.3V

Maximum Operating Temperature

175°C

Height

4.83mm

Length

10.54mm

Standards/Approvals

No

Width

9.65 mm

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon HEXFET Power MOSFETs utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this design are 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating . These features combine to make this design an extremely efficient and reliable device for use in Automotive applications and a wide variety of other applications.

Advanced Process Technology

New Ultra Low On-Resistance

Automotive Qualified

Gerelateerde Links