Infineon CoolMOS CE Type N-Channel MOSFET, 9 A, 500 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD50R650CEAUMA1

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 25 eenheden)*

€ 17,70

(excl. BTW)

€ 21,425

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 22 april 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
25 - 100€ 0,708€ 17,70
125 - 225€ 0,672€ 16,80
250 - 600€ 0,658€ 16,45
625 - 1225€ 0,616€ 15,40
1250 +€ 0,573€ 14,33

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
214-9041
Fabrikantnummer:
IPD50R650CEAUMA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

9A

Maximum Drain Source Voltage Vds

500V

Package Type

TO-252

Series

CoolMOS CE

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

650mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

0.84V

Maximum Power Dissipation Pd

47W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

15nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

6.73mm

Height

2.41mm

Width

6.22 mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Infineon CoolMOS is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the super junction (SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies. CoolMOS CE is a price-performance optimized platform enabling to target cost sensitive applications in Consumer and Lighting markets by still meeting highest efficiency standards. The new series provides all benefits of a fast switching Super junction MOSFET while not sacrificing ease of use and offering the best cost down performance ratio available on the market.

Easy to use/drive

Very high commutation ruggedness

Qualified for standard grade applications

Gerelateerde Links