Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 42 A, 40 V Enhancement, 3-Pin TO-252

Bekijk alle MOSFETs

Subtotaal (1 rol van 3000 eenheden)*

€ 1.692,00

(excl. BTW)

€ 2.046,00

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 30 maart 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
3000 +€ 0,564€ 1.692,00

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
214-9128
Fabrikantnummer:
IRFR4104TRLPBF
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

42A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Series

HEXFET

Package Type

TO-252

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

5.5mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.3V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

59nC

Maximum Power Dissipation Pd

140W

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

No

Length

6.73mm

Width

2.39 mm

Height

6.22mm

Automotive Standard

No

The Infineon HEXFET Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating . These features combine to make this design an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.

It comes with Advanced Process Technology

The MOSFET is Lead-Free

Gerelateerde Links