Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 42 A, 85 V TO-252

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 rol van 2000 eenheden)*

€ 974,00

(excl. BTW)

€ 1.178,00

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 2.000 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
2000 - 2000€ 0,487€ 974,00
4000 +€ 0,468€ 936,00

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
257-5542
Fabrikantnummer:
IRFR2407TRPBF
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

42A

Maximum Drain Source Voltage Vds

85V

Package Type

TO-252

Series

HEXFET

Mount Type

Surface

Maximum Drain Source Resistance Rds

26mΩ

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

74nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.3V

Maximum Power Dissipation Pd

110W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

The Infineon IR MOSFET family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as DC motors, inverters, SMPS, lighting, load switches as well as battery powered applications. The devices are available in a variety of surface mount and through-hole packages with industry standard footprints for ease of design.

Planar cell structure for wide SOA

Optimized for broadest availability from distribution partners

Product qualification according to JEDEC standard

Silicon optimized for applications switching below <100kHz

Industry standard surface mount package

Gerelateerde Links