Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET, 13 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IRFR5410TRLPBF

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 20 eenheden)*

€ 23,54

(excl. BTW)

€ 28,48

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 40 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
20 - 20€ 1,177€ 23,54
40 - 80€ 1,118€ 22,36
100 - 180€ 1,071€ 21,42
200 - 480€ 1,024€ 20,48
500 +€ 0,953€ 19,06

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
215-2601
Artikelnummer Distrelec:
304-39-424
Fabrikantnummer:
IRFR5410TRLPBF
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type P

Maximum Continuous Drain Current Id

13A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Series

HEXFET

Package Type

TO-252

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

205mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

66W

Forward Voltage Vf

-1.6V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

58nC

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Infineon series fifth generation HEXFET from International rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on resistance for Silicon area. This benefits, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFET are well known for, providing sufficient level device for, provides designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications. The D-pack is designed for surface mounting using vapour phase, infrared or wave soldering technique.

Advanced Process Technology

Ultra Low On-Resistance

Lead-Free

Fully avalanche rated

Gerelateerde Links