Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET, 37 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB60R080P7ATMA1

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 5 eenheden)*

€ 18,54

(excl. BTW)

€ 22,435

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 510 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
5 - 5€ 3,708€ 18,54
10 - 20€ 3,264€ 16,32
25 - 45€ 3,076€ 15,38
50 - 120€ 2,856€ 14,28
125 +€ 2,632€ 13,16

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
217-2504
Fabrikantnummer:
IPB60R080P7ATMA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

37A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Series

CoolMOS

Package Type

TO-263

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

80mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

129W

Forward Voltage Vf

0.9V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

51nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

4.57mm

Standards/Approvals

No

Width

9.45 mm

Length

10.31mm

Automotive Standard

No

The Infineon 600V CoolMOS™ P7 superjunction (SJ) MOSFET is the successor to the 600V CoolMOS™ P6 series. It continues to balance the need for high efficiency against the ease-of-use in the design process. The best-in-class R onxA and the inherently low gate charge (Q G) of the CoolMOS™ 7th generation platform ensure its high efficiency.

600V P7 enables excellent FOM R DS(on)xE oss DS(on)xQ G

ESD ruggedness of ≥ 2kV (HBM class 2)

Integrated gate resistor R G

Rugged body diode

Wide portfolio in through hole and surface mount packages

Both standard grade and industrial grade parts are available

Gerelateerde Links