Infineon 600V CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET, 9 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-263

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 rol van 1000 eenheden)*

€ 601,00

(excl. BTW)

€ 727,00

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 2.000 stuk(s) vanaf 29 december 2025
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
1000 - 1000€ 0,601€ 601,00
2000 +€ 0,571€ 571,00

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
214-4371
Fabrikantnummer:
IPB60R360P7ATMA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

9A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Series

600V CoolMOS P7

Package Type

TO-263

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

360mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

41W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

13nC

Forward Voltage Vf

0.9V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

9.27 mm

Height

4.5mm

Standards/Approvals

No

Length

10.02mm

Automotive Standard

No

This Infineon 600V Cool MOS P7 super junction MOSFET continues to balance the need for high efficiency against the ease-of-use in the design process. The best-in-class RonxA and the inherently low gate charge (QG) of the Cool MOS™ 7th generation platform ensure its high efficiency.

It has rugged body diode

Integrated RG reduces MOSFET oscillation sensitivity

Gerelateerde Links