Infineon 600V CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET, 12 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-263

Bekijk alle MOSFETs

Subtotaal (1 rol van 1000 eenheden)*

€ 956,00

(excl. BTW)

€ 1.157,00

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 07 mei 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
1000 +€ 0,956€ 956,00

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
214-4369
Fabrikantnummer:
IPB60R280P7ATMA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

12A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Series

600V CoolMOS P7

Package Type

TO-263

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

280mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

53W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

0.9V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

18nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

10.02mm

Width

9.27 mm

Height

4.5mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Infineon 600V Cool MOS P7 super junction MOSFET continues to balance the need for high efficiency against the ease-of-use in the design process. The best-in-class RonxA and the inherently low gate charge (QG) of the Cool MOS 7th generation platform ensure its high efficiency.

It has rugged body diode

Integrated RG reduces MOSFET oscillation sensitivity

Gerelateerde Links