Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET, 38 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-263 AUIRF5210STRL

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 5 eenheden)*

€ 29,21

(excl. BTW)

€ 35,345

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Laatste voorraad RS
  • Laatste 100 stuk(s), klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
5 - 5€ 5,842€ 29,21
10 - 20€ 5,024€ 25,12
25 - 45€ 4,674€ 23,37
50 - 120€ 4,382€ 21,91
125 +€ 4,032€ 20,16

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
218-2972
Fabrikantnummer:
AUIRF5210STRL
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type P

Maximum Continuous Drain Current Id

38A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Series

HEXFET

Package Type

TO-263

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

60mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

3.1W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

150nC

Forward Voltage Vf

-1.6V

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

9.65 mm

Height

4.83mm

Standards/Approvals

No

Length

10.67mm

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon P-channel automotive MOSFET. It is specifically designed for automotive applications. This cellular design of HEXFET® Power MOSFETs utilizes the latest processing techniques to achieve low on-resistance per silicon area.

Advanced Process Technology

P-Channel MOSFET

Ultra Low On-Resistance

Dynamic dv/dt Rating

Fast Switching

Gerelateerde Links