Infineon Dual OptiMOS-T2 2 Type N-Channel Power Transistor, 20 A, 100 V Enhancement, 8-Pin TDSON

Bekijk alle MOSFETs

Subtotaal (1 rol van 5000 eenheden)*

€ 2.490,00

(excl. BTW)

€ 3.015,00

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 30 maart 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
5000 +€ 0,498€ 2.490,00

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
218-3059
Fabrikantnummer:
IPG20N10S436AATMA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

Power Transistor

Maximum Continuous Drain Current Id

20A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Series

OptiMOS-T2

Package Type

TDSON

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

36mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

9.4nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

43W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Transistor Configuration

Dual

Maximum Operating Temperature

175°C

Length

5.15mm

Standards/Approvals

AEC Q101, RoHS

Height

1mm

Width

5.9 mm

Number of Elements per Chip

2

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon OptiMOS™-T2 series dual N- channel automotive MOSFET. It is feasible for automatic optical inspection (AOI).

Dual N-channel - Enhancement mode

100% Avalanche tested

175°C operating temperature

Gerelateerde Links