Infineon Dual OptiMOS-T2 2 Type N-Channel Power Transistor, 20 A, 100 V Enhancement, 8-Pin TDSON IPG20N10S436AATMA1

Bekijk alle MOSFETs

Subtotaal (1 verpakking van 10 eenheden)*

€ 7,81

(excl. BTW)

€ 9,45

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 4.800 stuk(s) vanaf 29 december 2025
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
10 +€ 0,781€ 7,81

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
218-3060
Fabrikantnummer:
IPG20N10S436AATMA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Product Type

Power Transistor

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

20A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Package Type

TDSON

Series

OptiMOS-T2

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

36mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

43W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

9.4nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Transistor Configuration

Dual

Maximum Operating Temperature

175°C

Length

5.15mm

Height

1mm

Standards/Approvals

AEC Q101, RoHS

Width

5.9 mm

Number of Elements per Chip

2

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon OptiMOS™-T2 series dual N- channel automotive MOSFET. It is feasible for automatic optical inspection (AOI).

Dual N-channel - Enhancement mode

100% Avalanche tested

175°C operating temperature

Gerelateerde Links