Infineon Dual OptiMOS-T2 2 Type N-Channel Power Transistor, 20 A, 100 V Enhancement, 8-Pin TDSON IPG20N10S436AATMA1

Bulkkorting beschikbaar
Bekijk bulkkorting

Subtotaal (1 verpakking van 10 eenheden)*

€ 12,48

(excl. BTW)

€ 15,10

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 4.740 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.

Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
10 - 40€ 1,248€ 12,48
50 - 90€ 1,186€ 11,86
100 - 240€ 1,135€ 11,35
250 - 490€ 1,086€ 10,86
500 +€ 1,012€ 10,12

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
218-3060
Fabrikantnummer:
IPG20N10S436AATMA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

Power Transistor

Maximum Continuous Drain Current Id

20A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Package Type

TDSON

Series

OptiMOS-T2

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

36mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

43W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

9.4nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1V

Maximum Operating Temperature

175°C

Transistor Configuration

Dual

Height

1mm

Length

5.15mm

Standards/Approvals

AEC Q101, RoHS

Number of Elements per Chip

2

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon OptiMOS™-T2 series dual N- channel automotive MOSFET. It is feasible for automatic optical inspection (AOI).

Dual N-channel - Enhancement mode

100% Avalanche tested

175°C operating temperature

Gerelateerde Links

Wees als eerste op de hoogte van onze nieuwste producten en aanbiedingen

E-mailadres

De persoonlijke gegevens die u aan ons verstrekt bij het aanmelden voor deze mailinglijst worden verwerkt in overeenstemming met ons privacybeleid.