STMicroelectronics SCTW40N Type N-Channel MOSFET, 36 A, 1200 V Enhancement, 3-Pin Hip-247 SCTW40N120G2V

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 eenheid)*

€ 15,17

(excl. BTW)

€ 18,36

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 19 januari 2027
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
1 - 4€ 15,17
5 - 9€ 14,77
10 - 24€ 14,39
25 +€ 14,03

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
219-4228
Fabrikantnummer:
SCTW40N120G2V
Fabrikant:
STMicroelectronics
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

STMicroelectronics

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

36A

Maximum Drain Source Voltage Vds

1200V

Package Type

Hip-247

Series

SCTW40N

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

700mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

278W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

22 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

13nC

Forward Voltage Vf

3.3V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

No

Length

15.75mm

Width

5.15 mm

Height

20.15mm

Automotive Standard

No

The STMicroelectronics silicon carbide power MOSFET device has been developed using ST’s advanced and innovative 2nd generation Sic MOSFET technology. The device features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance. The variation of switching loss is almost independent of junction temperature.

Very high operating junction temperature capability (TJ = 200 °C)

Very fast and robust intrinsic body diode

Extremely low gate charge and input capacitance

Gerelateerde Links