Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET, 50 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB60R040C7ATMA1

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 eenheid)*

€ 9,93

(excl. BTW)

€ 12,02

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 795 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
1 - 9€ 9,93
10 - 24€ 9,43
25 - 49€ 9,03
50 - 99€ 8,64
100 +€ 8,04

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
222-4651
Fabrikantnummer:
IPB60R040C7ATMA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

50A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Package Type

TO-263

Series

CoolMOS

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

40mΩ

Channel Mode

Enhancement

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Infineon design of Cool MOS™ C7 is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the super junction (SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies. 600V Cool MOS™ C7 series combines the experience of the leading SJ MOSFET supplier with high class innovation. The 600V C7 is the first technology ever with RDS(on)*A below 1Ohm*mm².

Suitable for hard and soft switching (PFC and high performance LLC) Increased MOSFET dv/dt ruggedness to 120V/ns

Increased efficiency due to best in class FOM RDS(on)*Eoss and RDS(on)*Qg

Best in class RDS(on) /package

Gerelateerde Links