Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET, 31 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB60R099P7ATMA1

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 5 eenheden)*

€ 19,84

(excl. BTW)

€ 24,005

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 3.820 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
5 - 5€ 3,968€ 19,84
10 - 20€ 3,768€ 18,84
25 - 45€ 3,452€ 17,26
50 - 120€ 2,974€ 14,87
125 +€ 2,58€ 12,90

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
222-4654
Fabrikantnummer:
IPB60R099P7ATMA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

31A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Package Type

TO-263

Series

CoolMOS

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

99mΩ

Channel Mode

Enhancement

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Infineon design of Cool MOS™ C7 is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the super junction (SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies. 600V Cool MOS™ C7 series combines the experience of the leading SJ MOSFET supplier with high class innovation. The 600V C7 is the first technology ever with RDS(on)*A below 1Ohm*mm².

Suitable for hard and soft switching (PFC and high performance LLC) Increased MOSFET dv/dt ruggedness to 120V/ns

Increased efficiency due to best in class FOM RDS(on)*Eoss and RDS(on)*Qg

Best in class RDS(on) /package

Gerelateerde Links