Infineon IMBF1 Type N-Channel MOSFET, 7.4 A, 1700 V Enhancement, 7-Pin TO-263 IMBF170R650M1XTMA1

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 2 eenheden)*

€ 9,60

(excl. BTW)

€ 11,62

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 610 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.

Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
2 - 18€ 4,80€ 9,60
20 - 48€ 4,37€ 8,74
50 - 98€ 4,08€ 8,16
100 - 198€ 3,79€ 7,58
200 +€ 3,505€ 7,01

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
222-4851
Fabrikantnummer:
IMBF170R650M1XTMA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

7.4A

Maximum Drain Source Voltage Vds

1700V

Series

IMBF1

Package Type

TO-263

Mount Type

Surface

Pin Count

7

Maximum Drain Source Resistance Rds

650mΩ

Channel Mode

Enhancement

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Infineon CoolSiC™ 1700 V, 650 mΩ SiC MOSFET in a TO-263-7 high creepage package is optimized for fly-back topologies to be used in auxiliary power supplies connected to DC-link voltages 600 V up to 1000 V in numerous power applications.

Optimized for fly-back topologies

Extremely low switching loss

12 V / 0 V gate-source voltage compatible with fly-back controllers

Fully controllable dV/dt for EMI optimization

SMD package with enhanced creepage and clearance distances, > 7 mm

Gerelateerde Links