Infineon IMBF1 Type N-Channel MOSFET, 5.2 A, 1700 V Enhancement, 7-Pin TO-263 IMBF170R1K0M1XTMA1

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 2 eenheden)*

€ 8,30

(excl. BTW)

€ 10,04

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 828 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
2 - 18€ 4,15€ 8,30
20 - 48€ 3,45€ 6,90
50 - 98€ 3,195€ 6,39
100 - 198€ 2,99€ 5,98
200 +€ 2,78€ 5,56

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
222-4849
Fabrikantnummer:
IMBF170R1K0M1XTMA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

5.2A

Maximum Drain Source Voltage Vds

1700V

Series

IMBF1

Package Type

TO-263

Mount Type

Surface

Pin Count

7

Maximum Drain Source Resistance Rds

1Ω

Channel Mode

Enhancement

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Infineon CoolSiC™ 1700 V, 1000 mΩ SiC MOSFET in a TO-263-7 high creepage package is optimized for fly-back topologies to be used in auxiliary power supplies connected to DC-link voltages 600 V up to 1000 V in numerous power applications.

Optimized for fly-back topologies

Extremely low switching loss

12 V / 0 V gate-source voltage compatible with fly-back controllers

Fully controllable dV/dt for EMI optimization

SMD package with enhanced creepage and clearance distances, > 7 mm

Gerelateerde Links