Vishay N-Channel 80 V Type N-Channel MOSFET, 137.5 A, 80 V, 8-Pin SO-8 SIR5802DP-T1-RE3

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 5 eenheden)*

€ 11,68

(excl. BTW)

€ 14,135

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 5.990 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
5 - 45€ 2,336€ 11,68
50 - 120€ 2,104€ 10,52
125 - 245€ 1,87€ 9,35
250 - 495€ 1,752€ 8,76
500 +€ 1,636€ 8,18

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
225-9932
Fabrikantnummer:
SIR5802DP-T1-RE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

137.5A

Maximum Drain Source Voltage Vds

80V

Package Type

SO-8

Series

N-Channel 80 V

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

4mΩ

Maximum Power Dissipation Pd

104W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

60nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.1V

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

6.25mm

Width

1.12 mm

Height

5.26mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Vishay Siliconix maintains Reliability data for Semiconductor Technology and Package Reliability represent a composite of all qualified locations.

TrenchFET Gen IV power MOSFET

Very low RDS x Qg figure-of-merit (FOM)

Tuned for the lowest RDS x Qoss FOM

100 % Rg and UIS tested

Gerelateerde Links